中国 分離した半導体

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  SPI07N60C3HKSA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 350μA

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  BSO301SPNTMA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:136 nC @ 10 V

  製品の状況:時代遅れ

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  SPA04N60C3XKSA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 200μA

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  BSP317PE6327

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 370μA

  接触
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  BSL207SP

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:20 NC @ 4.5ボルト

  製品の状況:時代遅れ

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  BSS670S2L

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:2.26 nC @ 10V

  製品の状況:時代遅れ

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  BSO203SPNTMA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:50.4 nC @ 4.5 V

  製品の状況:時代遅れ

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  IPB05N03LA

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 50μA

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  BSP316PE6327

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:6.4 nC @ 10V

  製品の状況:時代遅れ

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  IPD04N03LA G

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 80μA

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  IPD13N03LA G

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 20µA

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  BSS223PW L6327

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:0.62 nC @ 4.5 V

  製品の状況:時代遅れ

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