中国 分離した半導体

• 

  SPU09P06PL

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 250μA

  接触
• 

  IPP14N03LA

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 20µA

  接触
• 

  SPP21N10

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 44μA

  接触
• 

  IPP04N03LA

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 60μA

  接触
• 

  IPP03N03LA

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 100μA

  接触
• 

  SPA21N50C3XKSA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 1mA

  接触
• 

  IPP09N03LA

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 20µA

  接触
• 

  SPP16N50C3HKSA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 675μA

  接触
• 

  SPA04N50C3XKSA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 200μA

  接触
• 

  SPP04N60C3HKSA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 200μA

  接触
• 

  SPP21N50C3HKSA1

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  FETの特徴:-

  Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 1mA

  接触
• 

  BSL211SP

  カテゴリー:離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

  ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:12.4 nC @ 4.5 V

  製品の状況:時代遅れ

  接触