| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET | ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 12.4 nC @ 4.5 V |
|---|---|---|---|
| 製品の状況: | 時代遅れ | マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 654 pF @ 15 V |
| シリーズ: | OptiMOS™ | Vgs (最大): | ±12V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.2V @ 25μA | 供給者のデバイスパッケージ: | PG-TSOP6-6 |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 67mOhm @ 4.7A,4.5V | Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) | FETタイプ: | P-Channel |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 2.5V、4.5V | 電力損失(最高): | 2W (Ta) |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-6 薄型,TSOT-23-6 | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 20V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 4.7A (Ta) | テクノロジー: | MOSFET (金属酸化物) |
| FETの特徴: | - |
Pチャンネル 20 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) 表面マウント PG-TSOP6-6
コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong
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