SPP04N60C3HKSA1

Name: SPP04N60C3HKSA1
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

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記述:	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3

連絡先

説明

カテゴリー:	離散半導体製品トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET	FETの特徴:	-
Vgs(th) (最大) @ Id:	3.9V @ 200μA	動作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:	TO-220-3	ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:	25 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:	950mOhm @ 2.8A, 10V	FETタイプ:	Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):	10V	パッケージ:	トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):	650ボルト	Vgs (最大):	±20V
製品の状況:	時代遅れ	入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:	490 pF @ 25 V
マウントタイプ:	穴を抜ける	シリーズ:	CoolMOS™
供給者のデバイスパッケージ:	PG-TO220-3-1	Mfr:	インフィニオン・テクノロジーズ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:	4.5A (Tc)	電力損失（最高）:	50W （Tc）
テクノロジー:	MOSFET （金属酸化物）	基本製品番号:	SPP04N