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| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET | FETの特徴: | - |
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| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2V @ 50μA | 動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB | ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 25 nC @ 5 V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 4.6mOhm @ 55A, 10V | FETタイプ: | Nチャンネル |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 25V | Vgs (最大): | ±20V |
| 製品の状況: | 時代遅れ | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 3110 pF @ 15 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント | シリーズ: | OptiMOS™ |
| 供給者のデバイスパッケージ: | PG-TO263-3-2 | Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 80A （Tc） | 電力損失（最高）: | 94W （Tc） |
| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 基本製品番号: | IPB05N |
Nチャンネル 25V 80A (Tc) 94W (Tc) 表面マウント PG-TO263-3-2
コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong
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