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BSO301SPNTMA1

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記述: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

BSO301SPNTMA1

説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
製品の状況: 時代遅れ マウントタイプ: 表面マウント
パッケージ: テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
シリーズ: OptiMOS™ Vgs (最大): ±20V
Vgs(th) (最大) @ Id: 2V @ 250μA 供給者のデバイスパッケージ: PG-DSO-8
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Mfr: インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) FETタイプ: P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 4.5V,10V 電力損失(最高): 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース: 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) 流出電圧から源電圧 (Vdss): 30V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
FETの特徴: -

Pチャンネル 30 V 12.6A (Ta) 2.5W (Ta) 表面マウント PG-DSO-8

連絡先の詳細
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

コンタクトパーソン: Miss. Coral

電話番号: +86 15211040646

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