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BSS670S2L

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記述: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3

BSS670S2L

説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: 2.26 nC @ 10V
製品の状況: 時代遅れ マウントタイプ: 表面マウント
パッケージ: テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 75 pF @ 25 V
シリーズ: OptiMOS™ Vgs (最大): ±20V
Vgs(th) (最大) @ Id: 2V @ 2.7μA 供給者のデバイスパッケージ: PG-SOT23
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA 10V Mfr: インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) FETタイプ: Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 4.5V,10V 電力損失(最高): 360mW (Ta)
パッケージ/ケース: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 流出電圧から源電圧 (Vdss): 55ボルト
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
FETの特徴: -

Nチャンネル 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) 表面マウント PG-SOT23

連絡先の詳細
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

コンタクトパーソン: Miss. Coral

電話番号: +86 15211040646

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