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BFU725F/N1,115

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記述: BFU725F/N1,115 データシート pdf と トランジスタ - 双極 (BJT) - NXPセミコンダクターの製品詳細

BFU725F/N1,115

説明
部分番号: BFU725F/N1,115 製造者: NXP半導体
記述: ストックで 代替モデルも ライフサイクル: このメーカーからの新品
データシート: BFU725F/N1,115 データシート PDF 配達: DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い: T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン 詳細情報: BFU725F/N1,115 詳細情報
ECAD: 無料 CAD モデル を 要求 する 価格 (USD): 0ドルだ41
コメント: メーカー:NXPセミコンダクターズ テンションは ディストリビューターだ 幅広い用途 利益: 24 dB
hFE分: 40 頻度: 55 GHz
スケジュールB: 8541210080 出力: 136 mW
権力 の 消耗: 136 mW 転移の頻度: 55 GHz
最大断熱電圧: 2.8 V 最大消費電力: 136 mW
最低の実用温度: -65 °C 連続的なコレクター流れ: 40mA
コレクターのエミッターの電圧(VCEO): 2.8 V 製品カテゴリー: 離散半導体 - トランジスタ - 双極 (BJT) - RF
データシート: BFU725F/N1115.pdf Qty: 9204 備蓄中
申請: 先進的な運転手支援システム (ADAS) 工場自動化と制御 医療 マウント: 表面マウント
極性: NPN パッケージ: テープとロール
場合/パッケージ: そう ピン数: 4
エレメント数: 1 要素構成: シングル
最高のコレクター流れ: 40mA 最大動作温度: 150℃
エミッターベース電圧 (VEBO): 550 mV コレクターベース電圧 (VCBO): 10V
コレクターのエミッターの絶縁破壊電圧: 2.8 V

BFU725F/N1,115概要\\nBFU725F/N1,115は,トランジスタ - バイポーラー (BJT) - 離散半導体の下のRFサブカテゴリーに属するモデルである. 特定の製品性能パラメータのために,データシートを参照してください.PDFファイル,Docxドキュメントなどです. 参考に BFU725F/N1,115の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. BFU725F/N1,115は,先進運転支援システム (ADAS),工場自動化および制御,医療に広く使用されています. NXPセミコンダクタによって製造され,ファンズによって配布されています.テンションおよび他の流通業者. BFU725F/N1,115は,多くの方法で購入することができます. あなたはこのウェブサイトで直接注文することができます, または電話または電子メールで私たちに呼びることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますBFU725F/N1,115の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,離散半導体トランジスタ - バイポーラー (BJT) - RFカテゴリーの他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans輸送については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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コンタクトパーソン: Miss. Coral

電話番号: +86 15211040646

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