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HGTG10N120BND

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記述: HGTG10N120BNDデータシート pdf と トランジスタ - IGBT - サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクターの単一製品詳細はテンションで入手可能

HGTG10N120BND

説明
部分番号: HGTG10N120BND 製造者: サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター
記述: ストックで 代替モデルも ライフサイクル: このメーカーからの新品
データシート: HGTG10N120BND データシート PDF 配達: DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い: T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン 詳細情報: HGTG10N120BND 詳細情報
ECAD: 無料 CAD モデル を 要求 する 価格 (USD): 3ドルだ08
コメント: メーカー:サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター テンションは ディストリビューターだ 幅広い用途 マウント: 穴を抜ける
高さ: 20.82mm 体重: 6.39 g
場合/パッケージ: TO-247 ピン数: 3
Turn-on遅れ時間: 23 ns 定位電圧 (DC): 1.2 kV
最高のコレクター流れ: 35A 逆の回復時間: 70 ns
最低の実用温度: -55 °C 最高の接合部温度(Tj): 150℃
コレクターのエミッターの絶縁破壊電圧: 1.2 kV 製品カテゴリー: 離散半導体 - トランジスタ - IGBT - シングル
データシート: HGTG10N120BND.pdf Qty: 5171 備蓄中
申請: 電子販売ポイント (EPOS) 幅: 4.82mm
長さ: 15.87 mm 上昇時間: 165 ns
現在の格付け: 35A 権力 の 消耗: 298W
Turn-off遅れ時間: 165 ns 要素構成: シングル
最大消費電力: 298W 最大動作温度: 150℃
連続的なコレクター流れ: 35A コレクターのエミッターの電圧(VCEO): 1.2 kV
コレクターのエミッターの飽和電圧: 2.45 V

HGTG10N120BND概要\\nHGTG10N120BNDは,トランジスタ - IGBT - シングルサブカテゴリーである. 特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.HGTG10N120BNDの高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますHGTG10N120BNDは電子販売ポイント (EPOS) で広く使用されています.サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクターによって製造され,ファンズ,テンションおよび他の販売業者によって配布されています.HGTG10N120BNDは,多くの方法で購入することができますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますHGTG10N120BNDの供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために離散半導体トランジスタ (IGBTs) - シングルカテゴリーの他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンからHGTG10N120BNDを注文することができます. 配達については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.

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コンタクトパーソン: Miss. Coral

電話番号: +86 15211040646

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