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記述: JFET Nチャネル -40V低Ciss
連絡先

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説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ JFET FETタイプ: Nチャンネル
製品の状況: アクティブ マウントタイプ: 表面マウント
パッケージ: ストライプ シリーズ: IFN201
パッケージ/ケース: SOT-23-3 Mfr: インターFET
電圧-締切り（VGS） @ ID: 800 mV @ 10 nA 供給者のデバイスパッケージ: SOT-23-3
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) パワー - マックス: 350 MW
抵抗- RDS （）: 1.2 kOhms 流出電圧から源電圧 (Vdss): 40V

JFET Nチャンネル 350 mW 表面マウント SOT-23-3

タグ:

トランジスタIC,

トランジスタ 集積回路,

トランジスタICS

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)

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