| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ JFET | FETタイプ: | P-Channel |
|---|---|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ | マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | ストライプ | シリーズ: | SMP5115 |
| 現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): | 25mA @ 15V | Mfr: | インターFET |
| 電圧-締切り(VGS) @ ID: | 3.5V @ 1nA | 供給者のデバイスパッケージ: | SOT-23-3 |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 | パワー - マックス: | 350 MW |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 12pF @ 10V | 抵抗- RDS (): | 80オーム |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
JFET Pチャンネル 350 mW 表面マウント SOT-23-3
コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong
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