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記述: JFET Nチャネル -20V低Ciss
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説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ JFET FETタイプ: Nチャンネル
製品の状況: アクティブ マウントタイプ: 表面マウント
パッケージ: テープ&ロール (TR) シリーズ: IF140
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: 4mA @ 15V Mfr: インターFET
電圧-締切り（VGS） @ ID: 2V @ 5nA 供給者のデバイスパッケージ: SOT-23-3
パッケージ/ケース: SOT-23-3 パワー - マックス: 350 MW
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 1.8pF @ 15V 抵抗- RDS （）: 300オーム
流出電圧から源電圧 (Vdss): 20V 動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

JFET Nチャンネル 350 mW 表面マウント SOT-23-3

タグ:

トランジスタIC,

トランジスタ 集積回路,

トランジスタICS

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SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

コンタクトパーソン: Miss. Coral

電話番号: +86 15211040646

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