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IXGN120N60A3D1

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記述: IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B

IXGN120N60A3D1

説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール 電流 - コレクター (Ic) (最大): 200A
製品の状況: 時代遅れ マウントタイプ: シャーシマウント
パッケージ: トューブ シリーズ: GenX3™
パッケージ/ケース: SOT-227-4 ミニブロック VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: 1.35V @ 15V,100A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): 600V 供給者のデバイスパッケージ: SOT-227B
Mfr: イクシス 動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大): 650 µA IGBTタイプ: PT
パワー - マックス: 595W インプット: スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce: 14.8 nF @ 25V 構成: シングル
NTC サーミストール: ありません 基本製品番号: IXGN120

IGBT モジュール PT シングル 600 V 200 A 595 W シャーシマウント SOT-227B

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

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