IXSN35N100U1

Name: IXSN35N100U1
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

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記述:	IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B

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説明

カテゴリー:	離散半導体製品トランジスタ IGBT IGBT モジュール	電流 - コレクター (Ic) (最大):	38 A
製品の状況:	時代遅れ	マウントタイプ:	シャーシマウント
パッケージ:	トューブ	シリーズ:	-
パッケージ/ケース:	SOT-227-4 ミニブロック	VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:	3.5V @ 15V, 25A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):	1000V	供給者のデバイスパッケージ:	SOT-227B
Mfr:	イクシス	動作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):	750 µA	IGBTタイプ:	-
パワー - マックス:	205 W	インプット:	スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:	4.5 nF @ 25V	構成:	シングル
NTC サーミストール:	ありません	基本製品番号:	IXSN35