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GSID200A170S3B1

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記述: IGBT モジュール 1200V 400A 1630W D3

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説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール 電流 - コレクター (Ic) (最大): 400 A
製品の状況: 時代遅れ マウントタイプ: シャーシマウント
パッケージ: 散装品 シリーズ: Amp+TM
パッケージ/ケース: D-3 モジュール VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: 1.9V @ 15V,200A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): 1200V 供給者のデバイスパッケージ: D3
Mfr: SemiQ 動作温度: -40°C ~ 150°C
電流 - コレクターの切断値 (最大): 1mA IGBTタイプ: -
パワー - マックス: 1630W インプット: スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V 構成: 2 独立
NTC サーミストール: ありません 基本製品番号: GSID200

IGBT モジュール 2 独立 1200 V 400 A 1630 W シャーシマウント D3

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

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