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IRF2804

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記述: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

IRF2804

説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: 240 NC @ 10ボルト
製品の状況: 時代遅れ マウントタイプ: 穴を抜ける
パッケージ: トューブ 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
シリーズ: HEXFET® Vgs (最大): ±20V
Vgs(th) (最大) @ Id: 4V @ 250µA 供給者のデバイスパッケージ: TO-220AB
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A、10V Mfr: インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度: -55°C~175°C (TJ) FETタイプ: Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 10V 電力損失(最高): 330W(TC)
パッケージ/ケース: TO-220-3 流出電圧から源電圧 (Vdss): 40V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 75A (Tc) テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
FETの特徴: -

Nチャネル 40 V 75A (Tc) 330W (Tc) 穴を通ってTO-220AB

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

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