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カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET | ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 32 nC @ 4.5 V |
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製品の状況: | 時代遅れ | マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 2920 pF @ 15 V |
シリーズ: | HEXFET® | Vgs (最大): | ±20V |
Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.25V @ 250µA | 供給者のデバイスパッケージ: | D-PAK |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 6mOhm @ 15A、10V | Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
動作温度: | -55°C~175°C (TJ) | FETタイプ: | Nチャンネル |
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | 電力損失(最高): | 89W (Tc) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63 | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 94A (Tc) | テクノロジー: | MOSFET (金属酸化物) |
FETの特徴: | - |
Nチャンネル 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) 表面マウント D-Pak
コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong
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