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IRFR3707Z

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記述: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

IRFR3707Z

説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: 4.5Vで14nC
製品の状況: 時代遅れ マウントタイプ: 表面マウント
パッケージ: トューブ 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
シリーズ: HEXFET® Vgs (最大): ±20V
Vgs(th) (最大) @ Id: 2.25V @ 250µA 供給者のデバイスパッケージ: D-PAK
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Mfr: インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度: -55°C~175°C (TJ) FETタイプ: Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 4.5V,10V 電力損失(最高): 50W (Tc)
パッケージ/ケース: TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63 流出電圧から源電圧 (Vdss): 30V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 56A (Tc) テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
FETの特徴: -

Nチャンネル 30V 56A (Tc) 50W (Tc) 表面マウント D-Pak

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

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