SPB21N10

Name: SPB21N10
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

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記述:	MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3

連絡先

説明

カテゴリー:	離散半導体製品トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET	FETの特徴:	-
Vgs(th) (最大) @ Id:	4V @ 44μA	動作温度:	-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:	TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB	ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:	38.4 nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:	80mOhm @ 15A, 10V	FETタイプ:	Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):	10V	パッケージ:	テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT)
流出電圧から源電圧 (Vdss):	100V	Vgs (最大):	±20V
製品の状況:	時代遅れ	入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:	865 pF @ 25 V
マウントタイプ:	表面マウント	シリーズ:	SIPMOS®
供給者のデバイスパッケージ:	PG-TO263-3-2	Mfr:	インフィニオン・テクノロジーズ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:	21A （Tc）	電力損失（最高）:	90W (Tc)
テクノロジー:	MOSFET （金属酸化物）	基本製品番号:	SPB21N