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| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET | FETの特徴: | - |
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| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3.9V @ 135μA | 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63 | ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 15 NC @ 10ボルト |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 1.4Ohm @ 2A, 10V | FETタイプ: | Nチャンネル |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 560V | Vgs (最大): | ±20V |
| 製品の状況: | 時代遅れ | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 350 pF @ 25 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント | シリーズ: | CoolMOS™ |
| 供給者のデバイスパッケージ: | PG-TO252-3-11 | Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 3.2A （Tc） | 電力損失（最高）: | 38W （Tc） |
| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 基本製品番号: | SPD03N |
Nチャンネル 560 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) 表面マウント PG-TO252-3-11
コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong
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