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SPB73N03S2L-08

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大画像 :  SPB73N03S2L-08

商品の詳細: お支払配送条件:
記述: MOSFET N-CH 30V 73A TO263-3

SPB73N03S2L-08

説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET FETの特徴: -
Vgs(th) (最大) @ Id: 2V @ 55μA 動作温度: -55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース: TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: 46.2 nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 36A, 10V FETタイプ: Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 4.5V,10V パッケージ: テープ&ロール (TR)
流出電圧から源電圧 (Vdss): 30V Vgs (最大): ±20V
製品の状況: 時代遅れ 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 1710 pF @ 25V
マウントタイプ: 表面マウント シリーズ: OptiMOS™
供給者のデバイスパッケージ: PG-TO263-3-2 Mfr: インフィニオン・テクノロジーズ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 73A (Tc) 電力損失(最高): 107W (Tc)
テクノロジー: MOSFET (金属酸化物) 基本製品番号: SPB73N

Nチャンネル 30V 73A (Tc) 107W (Tc) 表面マウント PG-TO263-3-2

連絡先の詳細
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

コンタクトパーソン: Miss. Coral

電話番号: +86 15211040646

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