SPD02N60C3BTMA1

Name: SPD02N60C3BTMA1
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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記述:	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3

連絡先

説明

カテゴリー:	離散半導体製品トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET	FETの特徴:	-
Vgs(th) (最大) @ Id:	3.9V @ 80μA	動作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:	TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63	ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:	12.5 nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:	3Ohm @ 1.1A, 10V	FETタイプ:	Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):	10V	パッケージ:	テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT)
流出電圧から源電圧 (Vdss):	650ボルト	Vgs (最大):	±20V
製品の状況:	時代遅れ	入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:	200 pF @ 25 V
マウントタイプ:	表面マウント	シリーズ:	CoolMOS™
供給者のデバイスパッケージ:	PG-TO252-3-11	Mfr:	インフィニオン・テクノロジーズ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:	1.8A （Tc）	電力損失（最高）:	25W （Tc）
テクノロジー:	MOSFET （金属酸化物）	基本製品番号:	SPD02N