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PBSS4230PANP115

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PBSS4230PANP115

説明
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 双極トランジスタ配列 電流 - コレクター (Ic) (最大): 2A
製品の状況: アクティブ トランジスタタイプ: NPN,PNP
マウントタイプ: 表面マウント 頻度 - 移行: 120MHz
パッケージ: 散装品 シリーズ: -
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A 電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): 30V
供給者のデバイスパッケージ: 6つのHUSON (2x2) Mfr: NXP USA Inc.
電流 - コレクターの切断値 (最大): 100nA (ICBO) パワー - マックス: 510mW
パッケージ/ケース: 6-UFDFN 露出パッド 動作温度: 150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V 基本製品番号: PBSS4230

双極 (BJT) トランジスタ配列 NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW 表面マウント 6-HUSON (2x2)

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

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