PBSS5130PAP115

Name: PBSS5130PAP115
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

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説明

カテゴリー:	離散半導体製品トランジスタ双極性 (BJT) 双極トランジスタ配列	電流 - コレクター (Ic) (最大):	1A
製品の状況:	アクティブ	トランジスタタイプ:	2 PNP (ダブル)
マウントタイプ:	表面マウント	頻度 - 移行:	125MHz
パッケージ:	散装品	シリーズ:	-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:	280mV @ 50mA, 1A	電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):	30V
供給者のデバイスパッケージ:	6つのHUSON (2x2)	Mfr:	NXP USA Inc.
電流 - コレクターの切断値 (最大):	100nA （ICBO）	パワー - マックス:	510mW
パッケージ/ケース:	6-UFDFN 露出パッド	動作温度:	150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:	170 @ 500mA 2V	基本製品番号:	PBSS5130