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| ゲート・エミッター漏れ電流:: | 400 nA | 製品カテゴリー:: | IGBTモジュール |
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| 25°Cの連続電流:: | 370A | Pd -電力損失:: | 1450W |
| コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス:: | 1200V | パッケージ/ケース:: | 62のmm |
| 最大動作温度:: | + 125 C | 設定:: | シングル・ダブル・エミッター |
| コレクター・エミッター 飽和電圧:: | 2.1 V | 製品:: | IGBTのケイ素 モジュール |
| メーカー:: | インフィニオン・テクノロジーズ |
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