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R1RW0416DSB-2PI#D1

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記述: R1RW0416D-I - 広い温度R

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説明
カテゴリー: 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 製品の状況: アクティブ
マウントタイプ: 表面マウント パッケージ: 散装品
シリーズ: R1RW0416DI メモリインターフェース: パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ: 12ns 供給者のデバイスパッケージ: 44-TSOPII
メモリタイプ: 揮発性 Mfr: RENESAS
メモリサイズ: 4Mbit 電圧 - 供給: 3V~3.6V
パッケージ/ケース: 44-TSOP (0.400"、10.16mmの幅) 記憶 の 組織: 256K × 16
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA) テクノロジー: SRAM - アシンクロン
アクセス時間: 12ns メモリ形式: SRAM

SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mbit パラレル 12 ns 44-TSOP II

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

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