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74HCT03D652

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74HCT03D652

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記述: ICGATE NAND 4CH 2-INP 14-SO について
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74HCT03D652

説明
カテゴリー: 集積回路 (IC) 論理 ゲートとインバーター 製品の状況: アクティブ
入力数: 2 マウントタイプ: 表面マウント
パッケージ: 散装品 シリーズ: 74HCT
高い入れられた論理のレベル-: 2V ロジックタイプ: 否定論履積ゲート
電流 - 静止状態 (最大): 2 µA 供給者のデバイスパッケージ: 14-SO
入れられた論理のレベル-低速: 0.8V Mfr: NXP USA Inc.
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V 最大伝搬遅延 @ V、最大 CL: 24ns @ 4.5V,50pF
電流 - 出力高,低: - 4mA パッケージ/ケース: 14-SOIC (0.154",3.90mm 幅)
動作温度: -40°C ~ 125°C 回路数: 4
基本製品番号: 74HCT03 特徴: オープン・ドレイン

NANDゲートIC 4チャネルオープンドラン 14-SO

タグ:

バストランシーバーIC,

カスタム集積回路,

集積回路 ic

連絡先の詳細
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

コンタクトパーソン: Miss. Coral

電話番号: +86 15211040646

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