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MT41K256M16TW-107:P ダイナミックランダムアクセスメモリ 4Gbitスケーラビリティ

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MT41K256M16TW-107:P ダイナミックランダムアクセスメモリ 4Gbitスケーラビリティ

MT41K256M16TW-107:P ダイナミックランダムアクセスメモリ 4Gbitスケーラビリティ
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記述: "MT41K256M16TW-107:P"は,マイクロソフトによって製造されたDRAM (ダイナミックランダムアクセスメモリ) チップのモデル番号です.
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MT41K256M16TW-107:P ダイナミックランダムアクセスメモリ 4Gbitスケーラビリティ

説明
貯蔵容量: 4Gbit データ幅: 16ビット
パッケージの種類: FBGA-96
ハイライト:

MT41K256M16TW-107:P ダイナミックランダムアクセスメモリ

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拡張性 ダイナミックランダムアクセスメモリ

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4Gbit電子集成回路

MT41K256M16TW-107:Pは,Micronが製造するDRAM (ダイナミックランダムアクセスメモリ) チップで,DDR3L (Low Voltage DDR3) ファミリーに属している.以下はその主要なパラメータと機能の一部である:

基本パラメータ

  • 貯蔵容量: 4Gbit (つまり,256M x 16bit)
  • データ幅: 16ビット
  • パッケージの種類: FBGA-96 (96ピンのフィーンピッチボールグリッド配列)
  • 電圧範囲: 1.283Vから1.45V (DDR3L標準の低電圧範囲に適合)

性能パラメータ

  • 時計の周波数: 最大 933MHz (実際の動作周波数は,システム設計とアプリケーション要件によって異なります)
  • アクセス時間: 通常は動作周波数に関連していますが,いくつかの参照は20nsのアクセス時間 (特定の条件下でテスト値である場合もあります) を言及しています.
  • 動作温度範囲: 一般的に0°Cから95°Cの間ですが,最低動作温度は異なる情報源によって -40°Cまで低くなることがあります.

機能的特徴

  • 過去の相容性: DDR3 デバイスとの互換性のために 1.5V で動作をサポート
  • 差異性両方向データストローブ: 信号安定性とノイズ抵抗性を向上させるため,差異信号を可能にします.
  • 8n-Prefetch アーキテクチャ: データ転送の効率を向上させる
  • 差点クロック入力 (CK,CK#): 時計の歪みやノイズを減らすために差分時計信号を使用
  • プログラム可能なCAS遅延 (CL),追加遅延 (AL),CAS書き込み遅延 (CWL): 異なるパフォーマンスニーズに対応するための柔軟なレイテンシー設定を提供します
  • 自動更新モード: データ損失を防ぐために,無効期間の間にメモリデータの自動リフレッシュを有効にする

追加情報

  • RoHS に準拠する: RoHS (危険物質の制限) 規格を満たし,環境に優しい製品です
  • マウントスタイル: 表面マウント装置 (SMD/SMT),現代電子機器の小型化と統合要件に適していますMT41K256M16TW-107:P ダイナミックランダムアクセスメモリ 4Gbitスケーラビリティ 0

連絡先の詳細
Sensor (HK) Limited

コンタクトパーソン: Liu Guo Xiong

電話番号: +8618200982122

ファックス: 86-755-8255222

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