MMRF1314HR5

MMRF1314HR5は,NXPが製造するRF電源トランジスタで,特に高電力RFアプリケーションのために設計されています.この製品の詳細な仕様は以下のとおりです:

基本パラメータ

• 製品タイプ: RF MOSFET トランジスタ (電波周波数金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ)
• 製造者NXP
• 極性Nチャンネル
• パッケージ: SOT1787
• テクノロジー: LDMOS (横向的に拡散した金属酸化半導体)

電気パラメータ

• 動作頻度: 1200から1400MHz
• 出力: 1000W (ピーク)
• 典型的な増幅 (dB): 15.5 dB @ 1200 MHz (特異的増幅は周波数によって異なります)
• 排水源の断熱電圧 (Vds): 直接指定されていませんが,LDMOSトランジスタは一般的に高断熱電圧を持っています.
• 連続流出電流 (Id): 直接指定されていませんが,アプリケーションと設計要件によって決定されています.
• ゲート・ソースの電圧 (Vgs): -6Vから+10V (ゲート電圧の制御範囲)
• 電力分散 (Pd): 直接指定されていませんが,高出力アプリケーションのための良好な散熱設計が必要です.

動作温度

• 最大動作温度: +150°C
• 最低動作温度-40°C

応用特性

• ブロードバンド運用: 便利なブロードバンド運用と利用のための内部入力と出力マッチング
• 構成の柔軟性: 単端,プッシュ・プル,または四角形配置で使用できます
• 高強度: パルス用用途に適しており,特に高性能軍用および商業用L帯レーダー用途に優れている

追加情報

• パッケージ/ケース:SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology) パッケージ,表面マウント技術に適している
• 梱包量: 通常,特定の量 (例えば,50個) で1台に梱包されます.